关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 中国大学MOOC: 长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。（ ） 中国大学MOOC: 长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。（ ） 答案： 查看 举一反三 长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。（ ） A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关 MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。 A: 正确 B: 错误 场效应晶体管器件的开启电流难以通过缩短沟道长度持续增大。（ ）
