短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。
A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L
B: 阈值电压随L 的缩短而减小
C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关
D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L
B: 阈值电压随L 的缩短而减小
C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关
D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
A,C,D
举一反三
- MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关：（ ）。 A: 饱和漏源电压 B: 跨导 C: 饱和漏极电流 D: 最高工作频率
- 对于沟道长度足够短的MOSFET，其饱和区漏源电流 A: ∝(VGS -VT)^2 B: ∝W/L C: ∝L D: ∝Cox
- 39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。
- MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。
- 中国大学MOOC: 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。
内容
- 0
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压
- 1
MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
- 2
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 3
在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 4
短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压不一定