n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。
未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
举一反三
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]17de937fd746675.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]17de937fe3baa07.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区
- 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（） A: 漏端，漏端 B: 漏端，源端 C: 源端，漏端 D: 源端，源端
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['可调电阻区的电压范围为[img=132x22]18036f7dd8aa4fc.png[/img]', '近漏处比近源处的沟道厚度要小', '此时沟道区呈现电阻特性，电流[img=27x22]18036f7de16c892.png[/img]与[img=29x22]18036f7dea87386.png[/img]基本上是线性关系', '18036f7df2a3661.png越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大'], 'type': 102}