2、P型杂质半导体的多子是（），其杂质离子是（ ）电荷。（填正或负）
A: 电子、正
B: 电子、负
C: 空穴、正
D: 空穴、负
A: 电子、正
B: 电子、负
C: 空穴、正
D: 空穴、负
举一反三
- P型杂质半导体的多子是，其杂质离子是电荷。（填正或负）
- p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子
- 多子是电子,少子是空穴的杂质半导体就是N型半导体。
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- P型半导体的多子是____,N型半导体的少子是____?( ) A: 电子,电子 B: 空穴,空穴 C: 电子,空穴 D: 空穴,电子