关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 中国大学MOOC: 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 中国大学MOOC: 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 答案： 查看 举一反三 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（） 总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（） 中国大学MOOC: P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子
