关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 A: 正确 B: 错误 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。 总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（） A: 正确 B: 错误 总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（） 中国大学MOOC: 总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）
