以下关于MOS管说法正确的是
A: 衬底偏置效应会导致阈值电压变大
B: MOS管是电流控制型器件
C: MOS管工作时电子和空穴都参与导电
D: 温度上升会使导电因子变大
A: 衬底偏置效应会导致阈值电压变大
B: MOS管是电流控制型器件
C: MOS管工作时电子和空穴都参与导电
D: 温度上升会使导电因子变大
A
举一反三
- 以下关于MOS管的说法正确的是 A: MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电 B: MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电 C: MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电 D: MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
- 关于MOS管，下列说法正确的是（ ）。 A: 根据导电沟道不同，MOS管可分N沟道和P沟道两种。 B: 根据导电原理不同，MOS管可分增强型和耗尽型两种。 C: MOS管是电流控制型器件。 D: MOS管是电压控制型器件。
- （ ）是一种电压控制型器件 ，（ ）载流子参与导电 A: MOS管，2 B: MOS管，1 C: 三极管，1 D: 三极管，2
- 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
- 以下关于半导体器件描述正确的是（ ） A: mos管的开启电压为0.7V左右 B: 二极管的开启电压为0.7V左右 C: 衬偏效应会使mos管的阈值电压减小 D: 器件尺寸比较小时MOS管的电流电压方程仍然适用
内容
- 0
增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。
- 1
JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道，而增强型MOS管则______导电沟道。 A: 存在 B: 不存在
- 2
N沟道增强型MOS管只有电子参与导电。（ ）
- 3
增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。 A: 正确 B: 错误
- 4
MOS管是电压控制型器件。