MOS管的阈值电压受衬底偏置电压的影响，我们可以通过调节衬底电位来间接调节电路的漏电流功耗和门延时
MOS管的阈值电压受衬底偏置电压的影响，我们可以通过调节衬底电位来间接调节电路的漏电流功耗和门延时
衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。
当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。
当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 A: 正确 B: 错误
当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 A: 正确 B: 错误
以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 先增大后减小
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 先增大后减小
与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。
压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。
PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
【多选题】泡罩包装对衬底的要求？ A. 泡罩包装对衬底的要求？ B. 泡罩包装对衬底的要求？ C. 泡罩包装对衬底的要求？ D. 泡罩包装对衬底的要求？
【多选题】泡罩包装对衬底的要求？ A. 泡罩包装对衬底的要求？ B. 泡罩包装对衬底的要求？ C. 泡罩包装对衬底的要求？ D. 泡罩包装对衬底的要求？