关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-31 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层厚度厚度越大，阈值电压越大。 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层厚度厚度越大，阈值电压越大。 答案： 查看 举一反三 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层中的正电荷使阈值电压增大。 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷 以N沟道增强型MOSFET为例，金属与半导体的功函数差（假设金属的功函数小于半导体的功函数）的绝对值越大，阈值电压越大
