以N沟道增强型MOSFET为例，金属与半导体的功函数差（假设金属的功函数小于半导体的功函数）的绝对值越大，阈值电压越大
举一反三
- 以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。 A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压 B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小 C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态 D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
- 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。
- 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
- 考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（） A: 功函数为3.5eV的半导体 B: 功函数为3eV的半导体 C: 功函数为4eV的半导体 D: 功函数为4.2eV的半导体