关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。A: 栅氧化层厚度B: 沟道宽度C: 衬底掺杂浓度D: 氧化层固定电荷 答案： 查看 举一反三 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度 （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 下面（ ）影响功率MOSFET或IGBT的大小。 A: 衬底掺杂浓度 B: 功函数差 C: 氧化层中的电荷 D: 沟道区掺杂浓度
