制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（ ）
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态， 导电沟道。（）
- 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（） A: 积累，无 B: 耗尽，无 C: 反型，有 D: 积累，有
- MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为 状态，开启电压为 。（）
- JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道，而增强型MOS管则______导电沟道。 A: 存在 B: 不存在