中国大学MOOC: 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
错
举一反三
内容
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电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
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已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
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某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（） A: P沟道增强型MOSFET B: P沟道JFET C: N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET
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中国大学MOOC: 当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（ ）。
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下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管