• 2022-10-30
    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。
    A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th)
    B: UDSQ , UGSQ+UGS(th)
    C: UGS(th) , UGSQ
    D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)
  • A

    内容

    • 0

      增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    • 1

      使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是() A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于

    • 2

      使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)

    • 3

      N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    • 4

      当uGS增大到uGS(th)时,N沟道增强型MOS管形成导电沟道。