从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
未知类型：{'options': ['复合损失使[img=24x24]1803ab5d29991a7.png[/img]小于1', '时间延迟使相位滞后', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]减小', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]增大'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['复合损失使[img=24x24]1803ab5d29991a7.png[/img]小于1', '时间延迟使相位滞后', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]减小', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]增大'], 'type': 102}
举一反三
- 中国大学MOOC: 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
- 基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
- 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
- 下列函数中为同一个函数的是() 未知类型：{'options': ['f(x)=x,g(x)=[img=25x39]17e43f7e294a229.png[/img]', ' f(x)=x,g(x)=[img=39x24]17e43f7e31cdea3.jpg[/img]', ' f(x)=x,g(x)=[img=35x25]17e43f7e3c419e9.png[/img]', ' f(x)=|x|,g(x)=[img=35x25]17e43f7e3c419e9.png[/img]'], 'type': 102}