硅二极管的正向电压降约为（ ）。
A: 0.2
B: 0.3
C: 0.4
D: 0.7
A: 0.2
B: 0.3
C: 0.4
D: 0.7
举一反三
- 硅二极管导通压降约为（ ）V。 A: 0.1～0.2 B: 0.2～0.3 C: 0.4～0.5 D: 0.6～0.7
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 硅二极管的死区电压约为（）。 A: 0.2 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 硅二极管的死区电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.4 C: 0.5 D: 0.7
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9