以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。
A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
