以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。
A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大
B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小
C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大
D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大
B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小
C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大
D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
举一反三
- 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- NMOSFET沟道长度很短时，沟道内等势线的弯曲导致半导体衬底的有效掺杂浓度（） A: 升高 B: 降低 C: 不变 D: 无法确定
- 按比例缩小是：（ ） A: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2. B: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍. C: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍. D: 如果沟道长度减小到原来的1/2，沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度