按比例缩小是：（ ）
A: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2.
B: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍.
C: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍.
D: 如果沟道长度减小到原来的1/2，沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.
A: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2.
B: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍.
C: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍.
D: 如果沟道长度减小到原来的1/2，沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.
举一反三
- 为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 一个中空的球形电容器充电后移去电源，填充入煤油，ε煤油＝2ε0 ，球形电容器的电容和静电能量变化为 A: 电容增加到原来的2 倍，静电能量增加到原来的2 倍。 B: 电容减小到原来1/2，静电能量电容减小到原来1/2。 C: 电容不变，静电能量不变。 D: 电容增加到原来的2 倍，静电能量减小到原来的1/2。