（）会使亚阈值摆幅变小
A: 缩短沟道长度
B: 减小沟道宽度
C: 减小氧化层厚度
D: 提高衬底掺杂浓度
A: 缩短沟道长度
B: 减小沟道宽度
C: 减小氧化层厚度
D: 提高衬底掺杂浓度
举一反三
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- 减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为 A: 增加氧化层厚度 B: 提高沟道区掺杂浓度 C: 降低沟道长度 D: 增加衬-源反偏电压
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ） A: 增大 B: 减小 C: 不变