中国大学MOOC: 下列关于能带结构的说法中,错误的是( )。
室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
举一反三
内容
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中国大学MOOC: 下列关于框架—剪力墙结构说法错误的是
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中国大学MOOC: 下列关于悬索结构形式的说法错误的是( )
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中国大学MOOC: 关于利率期限结构理论,下列说法错误的是()
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中国大学MOOC: 关于多层砌体房屋的结构布置,下列说法中哪项是错误的
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中国大学MOOC: 关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述,正确的是