高温回流平坦化一般应用于:
A: 金属间介质
B: 层间介质
C: 金属前介质
D: 金属介质
A: 金属间介质
B: 层间介质
C: 金属前介质
D: 金属介质
C
举一反三
内容
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PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。 A: 正确 B: 错误
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为了降低台阶高度对金属互连线的影响，在沉积金属层前必须对圆片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉积的回流介质主要有：（）
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氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。
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金属在有机介质中发生化学腐蚀，有机介质是（ ）的非电解质介质
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氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。 A: 正确 B: 错误