下列哪种工艺方法可以形成超浅结：
A: 低能离子注入
B: 低温扩散
C: 隔着氧化层注入
D: 分子注入法
A: 低能离子注入
B: 低温扩散
C: 隔着氧化层注入
D: 分子注入法
A,C,D
举一反三
- 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
- 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。 A: 低温注入 B: 常温注入 C: 高温注入 D: 分子注入 E: 双注入
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主
- 看图判断，下列哪种描述正确：[img=980x269]18037d2a7654308.png[/img] A: 图（a）是注入的低能离子； B: 图（a）是注入的高能离子； C: 图（b）是注入的低能离子； D: 图（b）是注入的高能离子。
内容
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半导体生产中离子注入的常见的应用包括: A: 阈值电压调整 B: 浅结注入 C: 埋层注入 D: SOI绝缘层
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
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以下哪种方法可以提高注入少数载流子的扩散效果。（ ） A: 平面接触 B: 点接触 C: 引入杂质 D: 小注入