以下哪些是影响CMP质量的主要因素
A: 抛光压力
B: 抛光液黏度
C: 抛光液PH值
D: 抛光液魔力尺寸、浓度及硬度
A: 抛光压力
B: 抛光液黏度
C: 抛光液PH值
D: 抛光液魔力尺寸、浓度及硬度
举一反三
- CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度
- 以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光液的粘度、PH值 B: 抛光区域的温度 C: 抛光的压力 D: 抛光垫的表面粗糙度
- 影响CMP质量的因素包括: A: 抛光压力 B: 转速 C: 抛光区域温度 D: 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等
- 影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
- 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备