在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( )
A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。
B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。
C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。
D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。
B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。
C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。
D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
举一反三
- 如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？ A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
- N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层
- 对于理想金属-氧化层-n型半导体结构，如果要求在半导体表面形成少子反型层，要求在金属端外加电压为( ) A: >0 B: =0 C: <0 D: 《0
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体