关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：
A: 湿氧比干氧慢得多；
B: 水汽氧化层比干氧氧化层致密；
C: 氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；
D: 升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率。
A: 湿氧比干氧慢得多；
B: 水汽氧化层比干氧氧化层致密；
C: 氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；
D: 升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率。
举一反三
- 下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确： A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多 B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小 C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大 D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响
- 热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
- 二氧化硅热氧化有多种方式，下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是（）。 A: 湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率 B: 水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率 C: 干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率 D: 水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率
- 中国大学MOOC: 热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
- 二氧化硅热氧化有多种方式，下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是（）。 A: 湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率 B: 水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率 C: 干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率 D: 水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率