根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。
A: 填隙式扩散
B: 替位式扩散
C: 有限源扩散
D: 恒定源扩散
A: 填隙式扩散
B: 替位式扩散
C: 有限源扩散
D: 恒定源扩散
举一反三
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
- 根据扩散的过程可以分为 A: 替位式扩散 B: 间隙式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
- 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 题3-2-4两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。