根据扩散的过程可以分为
A: 替位式扩散
B: 间隙式扩散
C: 有限源扩散
D: 恒定源扩散
A: 替位式扩散
B: 间隙式扩散
C: 有限源扩散
D: 恒定源扩散
C,D
举一反三
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
- 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 题3-2-4两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 根据扩散的过程可以分为 A: 预淀积 B: 再分布 C: 替位式扩散 D: 间隙式扩散
内容
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
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遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。 A: 有限源表面扩散 B: 两步扩散法（包括预扩散和住扩散） C: 恒定源表面扩散 D: 自由式扩散
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在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。 A: 替位式扩散 B: 间隙式扩散 C: 自由式扩散 D: 恒定扩散
- 3
杂质以恒定的表面杂质浓度源源不断的通入,该扩散过程称为: A: 恒定源扩散 B: 预淀积 C: 有限源扩散 D: 再分布
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扩散中有两种不同形式的扩散规律：（）和恒定杂质总量的扩散，也叫有限源扩散。