杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
错
举一反三
内容
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
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两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
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对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有 A: P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。 B: Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。 C: Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。 A: 激活杂质后 B: 一种物质在另一种物质中的运动 C: 预淀积 D: 高温多步退火
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题3-2-4两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散