关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。 A: 内部的杂质分布 B: 表面的杂质分布 C: 整个晶体的杂质分布 D: 内部的导电类型 E: 表面的导电类型 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A: 内部的杂质分布B: 表面的杂质分布C: 整个晶体的杂质分布D: 内部的导电类型E: 表面的导电类型 答案： 查看 举一反三 有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。 如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。 掺入不同的杂质元素，能改变杂质半导体的导电类型。 1802e427f20c436.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
