计算：一扩散工艺，在进行了54min扩散后，测得结深是2.38μm，若要获得2.5μm的结深，在不改变工艺方法和工艺温度的情况下，应再扩散 ______ 分钟。
计算：一扩散工艺，在进行了54min扩散后，测得结深是2.38μm，若要获得2.5μm的结深，在不改变工艺方法和工艺温度的情况下，应再扩散 ______ 分钟。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 A: 埋层 B: 外延 C: PN结 D: 扩散电阻 E: 隔离区
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 A: 埋层 B: 外延 C: PN结 D: 扩散电阻 E: 隔离区
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 A: A埋层 B: B外延 C: CPN结 D: D扩散电阻 E: E隔离区
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 A: A埋层 B: B外延 C: CPN结 D: D扩散电阻 E: E隔离区
扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采用（）作为扩散源，提供磷原子。磷扩散的扩散机制是（）。
扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采用（）作为扩散源，提供磷原子。磷扩散的扩散机制是（）。
实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说明个步骤的主要作用和工艺温度。
试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说明个步骤的主要作用和工艺温度。
实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。 A: 正确 B: 错误
实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。 A: 正确 B: 错误
中国大学MOOC: 实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
中国大学MOOC: 实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求 A: 扩散工艺 B: 离子注入工艺 C: 外延工艺 D: 快速气相激光掺杂
根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求 A: 扩散工艺 B: 离子注入工艺 C: 外延工艺 D: 快速气相激光掺杂