在结深公式中,影响到A数值的因素有:
A: 杂质分布类型
B: 衬底杂质浓度
C: 表面杂质浓度
D: 杂质种类
A: 杂质分布类型
B: 衬底杂质浓度
C: 表面杂质浓度
D: 杂质种类
A,B,C
举一反三
- 1802e427f20c436.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
- 180300e2b968ecb.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
- 杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
内容
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中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
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智慧职教: 杂质半导体中多数载流子的浓度取绝于杂质浓度
- 2
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 3
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 4
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度