干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
正确
举一反三
- 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。前者是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
- 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
- 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
内容
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两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是: A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 离子刻蚀 D: 溅射刻蚀
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一般情况下,干法刻蚀的选择性比湿法刻蚀要好。
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关于干法和湿法刻蚀说法错误的是() A: 湿法刻蚀保真度较差 B: 干法刻蚀选择性较差 C: 干法刻蚀均匀性较好 D: 干法刻蚀清洁性较好
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（）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
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通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。