在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中，衬底材料与外延材料可能不一致，由于二者的晶格常数不同，会存在（ ）失配。
晶格
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举一反三
- 砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
- 薄膜外延生长技术是指在单晶衬底上,定向地生长与衬底晶体结构相同或类似的晶态薄层。如果生长材料与衬底成分相同,称为______ 外延;生长材料与衬底成分不同,称为______ 外延。
- 以下方法可用来制备砷化镓薄膜的有（ ）。 A: 液相外延技术 B: 金属有机化学气相沉积技术 C: 分子束外延技术 D: 以上都是
- LPE技术制备砷化镓薄膜的优势在于 A: 设备简单，价格便宜 B: 生产工艺简单安全 C: 所用材料毒性小 D: 所生长的外延层的晶格完整度好
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
内容
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GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
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LED地材料制备包括什么？（) A: 外延片地制备 B: 衬底材料地制备 C: 外延片地生长 D: 衬底材料地生长
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砷化镓的制备技术中，MBE指分子束外延技术。
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DBR的两种材料晶格要与半导体外延材料相匹配，避免产生失配现象（）
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在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延