在ULSI工艺中常用复合金属薄膜形成电极在接触孔内金属化：往往以钛的薄层提高金半接触的黏附性，由于Cu布线需要阻挡层所以用化学汽相淀积在硅上制备TiN阻挡层，然后例行金属化，如此加工的好处是( )
A: 减少导通沟道器件漏端串联电阻
B: 可以提高其上金属薄膜的淀积速率
C: 可以获得更好的热稳定性
D: 可以有效降低接触电阻
A: 减少导通沟道器件漏端串联电阻
B: 可以提高其上金属薄膜的淀积速率
C: 可以获得更好的热稳定性
D: 可以有效降低接触电阻
举一反三
- 芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后的图形的刻印以便形成器件互连和多层布线的过程,该工艺称为: A: 光刻 B: 刻蚀 C: 溅射 D: 金属化
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
- 如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层
- 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
- 中国大学MOOC: 通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是