芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后的图形的刻印以便形成器件互连和多层布线的过程,该工艺称为:
A: 光刻
B: 刻蚀
C: 溅射
D: 金属化
A: 光刻
B: 刻蚀
C: 溅射
D: 金属化
举一反三
- 通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是 A: CVD B: 氧化 C: 蒸发 D: 溅射
- 集成电路制造过程中的工艺步骤包括（ ） A: 薄膜沉积 B: 薄膜刻蚀 C: 光刻 D: 离子注入
- 在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化
- 中国大学MOOC: 通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是
- 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。