离子注入机按能量高低分为( )。
A: 低能离子注入机(能量范围<100 keV)
B: 中能离子注入机(能量范围100~300 keV)
C: 高能离子注入机(能量范围>300~1000 keV)
D: 兆伏离子注入机(能量范围>1000 keV)
E: 千伏离子注入机(能量范围>1000 keV)
A: 低能离子注入机(能量范围<100 keV)
B: 中能离子注入机(能量范围100~300 keV)
C: 高能离子注入机(能量范围>300~1000 keV)
D: 兆伏离子注入机(能量范围>1000 keV)
E: 千伏离子注入机(能量范围>1000 keV)
举一反三
- 离子注入机按能量高低分为（）。 A: 低能离子注入机（能量范围<100 B: 中能离子注入机（能量范围100～300 C: 高能离子注入机（能量范围>300～1000 D: 兆伏离子注入机（能量范围>1000 E: 千伏离子注入机（能量范围>1000
- 离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
- 离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘