离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
离子注入机离子源的作用是把需要注入的元素气态粒子电离成（）。 A: 电子 B: 离子 C: 中子 D: 质子
离子注入机离子源的作用是把需要注入的元素气态粒子电离成（）。 A: 电子 B: 离子 C: 中子 D: 质子
离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
离子束加工技术利用注入效应加工的是( )。 A: 离子刻蚀 B: 溅射镀膜 C: 离子镀 D: 离子注入
离子束加工技术利用注入效应加工的是( )。 A: 离子刻蚀 B: 溅射镀膜 C: 离子镀 D: 离子注入
离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；