关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？ 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？ 答案： 查看 举一反三 ④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD 关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术 写出CVD工艺的基本反应方程式:______ 。 以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（ ）。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD 半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型
