关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 由（ ）散射决定的迁移率正比于 T3/2 A: 电离杂质 B: 声学波 C: 光学波 D: 电子间的 由（ ）散射决定的迁移率正比于 T3/2A: 电离杂质B: 声学波C: 光学波D: 电子间的 答案： 查看 举一反三 由（ ）散射决定的迁移率正比于 T3/2 A: 电离杂质 B: 声子波 C: 光子波 D: 电子间的 Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射 Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射 在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射 Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
