关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。 衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。 答案： 查看 举一反三 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小 衬底的掺杂浓度越大,MOS管的阈值电压()。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。 中国大学MOOC: 衬底掺杂浓度的大小会影响到MOS管阈值电压的大小
