一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中， 其阈值电压应该是 的， 积累状态时所加的栅电压应该是 的
A: 正，正
B: 正，负
C: 负，正
D: 负，负
A: 正，正
B: 正，负
C: 负，正
D: 负，负
举一反三
- 2、一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 A: 其阈值电压应该是正的 B: 强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 C: 积累状态时所加的栅电压应该是负的 D: 其费米势应该是负的
- 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 A: 其阈值电压应该是正的 B: 其费米势应该是负的 C: 强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 D: 积累状态时所加的栅电压应该是负的
- P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是 的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是 的 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负
- N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， VGS为（正/负）电压，VDS为（正/负）电压 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负
- 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的