对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
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中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将()。 A: 向负偏压方向平行移动 B: 向正偏压方向平行移动 C: 不变 D: 无法判断
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P沟耗尽型：栅压为零时，沟道已存在，加上一个正的栅压可以使P型沟道消失( )。 A: 正确 B: 错误
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对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ） A: Wm＜Ws B: Wm＞Ws C: Wm=Ws D: 无法比较