基准电压$U_{\rm {REF}}$应为______ V；
D
举一反三
- 只要晶体三极管的b-e间电压$u_{\rm{BE}}$大于开启电压$U_{\rm{on}}$，它就工作在放大区。 A: Yes B: No
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]
- 3．只要晶体三极管的b-e间电压[mathjaxinline]u_{\rm{BE}}[/]大于开启电压[mathjaxinline]U_{\rm{on}}[/]，它就工作在放大区。 A: Yes B: No
- （5）如果${\rm {VD}}_{\rm z}$接反，则输出电压 $U_{\rm O}$变小，且调节范围变小。 A: Yes B: No
- （3）运算电路的描述方法采用运算关系式即 $u_{\rm {O}}= f(u_{\rm {I}})$。 A: No B: Yes
内容
- 0
（5）$L$和$C$的数值越大，输出电压$U_{\rm O}$平均值越大； A: Yes B: No
- 1
（4） $u_{\rm o}$幅值增大。<br/>______
- 2
7. 分别求解下图所示各电路的运算关系。图(a) 电路输出电压与输入电压的运算关系式$u_{\rm O}$=______ ；
- 3
当电流$I$大于______ $\mu A$时，$u_{\rm o}$ =$-$5V。
- 4
8. 上图（a）所示为理想集成电压比较器的等效电路，虚线框外所标数字是引脚号；可将A看成理想运放， $u_{\rm O}^{'}$是其输出端；对于$u_{\rm O}^{'}$，2为反相输入端，3为相同输入端。图（b）所示为没有完全接好的集成电压比较器应用电路，已知集成电压比较器的三极管VT工作在开关状态，其饱和管压降$U_{\rm {CES}}$＝0V；图（c）所示为图（b）所示电路的电压传输特性。选择正确答案填入空内：（1）图（b）中，$u_{\rm I}$应与集成电压比较器的______ 端引出线相连；