应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是
举一反三
- DR平板探测器采集图像的最小单元称为 A: 非晶硒光电二极管阵列 B: TFT阵列 C: CCD阵列 D: CMOS阵列 E: 像素
- 以下探测器采用线扫描成像技术的有( )。 A: 非晶硒平板探测器 B: 非晶硅平板探测器 C: 多丝正比室气体探测器 D: 闪烁晶体光电二极管线阵探测器 E: 固态半导体CMOS线阵探测器
- 属于DR成像直接转换方式的是 A: 非晶硒平扳探测器 B: 碘化铯+非晶硅平扳探测器 C: 闪烁体+CCD摄像机阵列 D: 硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
- 非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是()
- 目前最常用的DR系统为 A: CsI+CCD阵列 B: 非晶硅平板探测器 C: 非晶硒平板探测器 D: 多丝正比电离室 E: 计算机X线摄影