有关本征半导体和杂质半导体，以下说法错误的是（ ）
A: 本征半导体中自由电子和空穴都由本征激发产生，二者浓度相等
B: 与杂质半导体比较，本征半导体的导电能力对温度变化更加敏感
C: 杂质半导体中多子和少子浓度悬殊，电性相反，导致半导体带电
D: 半导体中可以同时存在扩散电流和漂移电流
A: 本征半导体中自由电子和空穴都由本征激发产生，二者浓度相等
B: 与杂质半导体比较，本征半导体的导电能力对温度变化更加敏感
C: 杂质半导体中多子和少子浓度悬殊，电性相反，导致半导体带电
D: 半导体中可以同时存在扩散电流和漂移电流
举一反三
- 写出什么是导体、绝缘体、半导体、晶体和本征半导体
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 实际使用的半导体都是在本征法导体中掺入一定的杂质，其目的是改善半导体的导电性能。
- 本征半导体有两种载流子参与导电,所以半导体比导体导电性能好。
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。