关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 中国大学MOOC: 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压肯定是正的 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 以N-Si为衬底的理想MOS结构，达到强反型时，半导体表面电荷是 A: 负电荷 B: 正电荷 中国大学MOOC: 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中
