一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中
其费米势应该是负的
举一反三
内容
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以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带
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对于N-Si为衬底的MOS结构,其掺杂浓度越高,功函数越()
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中国大学MOOC: 若理想MOS结构的衬底是N-Si，则达到强反型时，空间电荷区中的电荷为负电荷
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一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中， 其阈值电压应该是 的， 积累状态时所加的栅电压应该是 的 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负
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一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越()