关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-27 以N-Si为衬底的理想MOS结构，达到强反型时，半导体表面电荷是 A: 负电荷 B: 正电荷 以N-Si为衬底的理想MOS结构，达到强反型时，半导体表面电荷是A: 负电荷B: 正电荷 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 若理想MOS结构的衬底是N-Si，则达到强反型时，空间电荷区中的电荷为负电荷 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有() 以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带
