关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 NPN型三极管的饱和压降UCES大约为 V NPN型三极管的饱和压降UCES大约为 V 答案： 查看 举一反三 硅三极管的饱和压降约为V,锗三极管的饱和压降约为V。 三极管的饱和管压降一般为 V 在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。 三极管的静态工作点中，UBE的正向压降，硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 三极管的静态工作点中，UBE的正向压降，硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。
