在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
举一反三
- 在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 在常温下,硅二极管的门槛电压约为__ V,导通后在较大电流下的正向压降约为__ V锗二极管的门槛电压约为 __ V,导通后在较大电流下的正向压降约为___ V。
- 硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V