在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
0.5#0.6～0.7#0.1#0.2～0.3#2
举一反三
- 在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 在常温下,硅二极管的门槛电压约为__ V,导通后在较大电流下的正向压降约为__ V锗二极管的门槛电压约为 __ V,导通后在较大电流下的正向压降约为___ V。
- 硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
内容
- 0
在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 1
在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 2
中国大学MOOC: 在常温下，硅二极管导通后的正向压降约为 V
- 3
常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。
- 4
硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。